晶瑞电材专题报告电子材料领军,步入国产替

(报告出品方/作者:信达证券,方竞)

一、晶瑞电材:蓄势待发的国产电子化学品领军

1、晶瑞电材:深入布局微电子化学品

晶瑞电材是一家专注从事微电子化学品的高新技术企业,主要经营光刻胶及配套材料、超净高纯试剂、锂电池材料和基础化工材料。产品用于电子制造工艺中的清洗、光刻、显影、蚀刻、去膜、浆料制备等环节。公司在电子化学品行业深耕近三十年,凭借强大的研发实力和优质的产品质量,公司与海内外许多厂商建立了稳定良好的合作伙伴关系,主要客户有中芯国际、长江存储、宁德时代、三安光电、上海华虹宏力、华微电子等。

晶瑞电材起源于苏州中学校办光刻胶研发室,是国内最早一批开始研发光刻胶的团队之一。年,晶瑞电材的前身晶瑞化学有限公司成立,主要生产经营微电子业用超纯化学材料和其他精细化工产品。年,晶瑞化学受让苏电公司所持的苏州瑞红55%的股份,随后在光刻胶上不断发力,实现i线光刻胶量产。年,晶瑞化学在创业板上市。同年成立全资子公司瑞红锂电池材料进行锂电池用粘结剂的技术研发和销售工作,年,公司收购载元派尔森,成功进入三星环新NMP供应体系。

2、收入稳定成长,半导体业务渐入佳境

公司围绕半导体材料和锂电池材料这两大发展方向,不断夯实技术优势,开拓下游客户,营业收入取得快速增长。-年,公司营收由4.40亿元增至10.22亿元,年复合增速24%;归母净利润由0.34亿元增至0.77亿元,年均复合增速23%。年上半年,伴随着半导体材料国产替代进程加速以及下游晶圆厂商需求增加,公司主导的半导体光刻胶及配套试剂、超净高纯试剂市场需求旺盛,量价齐升,公司业绩高速增长,上半年实现营收8.63亿元,较去年同期增长%;实现归母净利润1.15亿元,较去年同期增长%。

公司营收结构稳定,半导体材料及锂电池材料是主要收入来源。年,公司锂电池材料收入为3.44亿元,占比达到34%,光刻胶及配套材料和超净高纯试剂业务分别为1.79亿元和2.09亿元,占比分别为28%和20%,公司半导体及锂电池材料收入占比共计72%。

各业务均保持持续增长态势,量价齐升。由于新收购载元派尔森纳入公司合并报表和CMCLi粘结剂千吨级产线实现量产,锂电池材料业务营收同比增长35%。同时,受益于国产光刻胶替代进程加速,公司光刻胶及配套材料营收同比增长17%,创造历史最好成绩。随着公司半导体级双氧水首次实现国产化,进入批量生产阶段,超净高纯试剂业务同比增长17%。随着年产9万吨半导体高纯硫酸技改项目一期达成量产,超净高纯试剂业务营收有望进一步提高。

由于上游原材料价格变动以及新的会计收入准则变更,原属于销售费用的运费被重分类至主营业务成本,年上半年公司毛利率从21.74%降至18.65%,出现短暂下滑。不过,由于公司产品结构正在逐步高附加值产品转移且市场开拓顺利,年上半年公司毛利率虽有所下降,但净利率从8.04%增至13.91%,提升明显。

分业务来看,光刻胶及功能性材料毛利率在40%左右,超净高纯试剂、锂电池材料均维持在20%左右,基础化工材料主要是传统化工产品,产品单价低,毛利率不足10%。年由于上游大宗商品价格上涨,原材料成本压力增大,因此超净高纯试剂和基础化工材料的利润空间缩窄,毛利率分别同比下降30%和44%。近年,随着公司逐步向上游原材料布局,原材料产业链日益完善,上游成本将更加可控,成本端的不良影响将逐渐被消化。同时,公司积极实施技改项目以升级产品结构,增大企业利润空间,产品毛利率有望回升。

3、股权激励凝聚动力,引进人才再添猛将

晶瑞电材股权结构稳定,罗培楠董事为公司实控人。罗培楠女士通过新银国际间接持有晶瑞电材18.63%的股份。晶瑞电材下设六家全资子公司,分别是苏州瑞红、瑞红锂电池、眉山晶瑞、善丰投资、载元派尔森和南通晶瑞。

子公司业务布局方面,公司通过“内生增长+外延并购”,形成“半导体材料为主,锂电池材料为辅”的产业布局。在光刻胶及应用材料上,全资子公司苏州瑞红是公司这一业务的承接者。在超净高纯试剂业务上,年公司成立瑞红锂电池负责锂电池用粘结剂的技术研发,年通过收购载元派尔森(现更名为晶瑞新能源科技有限公司)一举进入三星环新的供应体系,进一步拓展锂电池材料的应用领域。在锂电池业务上,全资子公司眉山晶瑞负责从事超净高纯试剂的生产和销售,年公司收购江苏阳恒化工以提高超净高纯试剂细分产品的技术水平,完善产业链布局。

股权激励计划调动员工积极性,高额业绩目标彰显公司信心。年9月29日,公司发布第二期股权激励计划草案,拟将万股股票用于第二轮股权激励,占公司总股本的1.74%。同时公司设定-年业绩考核目标值为营业收入10亿、12.50亿元、16亿元、20亿元或净利润达到0.6亿元、0.8亿元、1亿元、1.2亿元。我们认为,此次股权激励计划有助于调动公司核心员工的积极性,增强团队凝聚力和对行业内骨干人才的吸引力。同时,高额的考核目标也彰显公司对未来发展的强大信心,年公司实现营收10.22亿元,归母净利润0.77亿,完成预设的业绩目标。

公司积极引入行业核心人才,近期邀请原东京应化中国区部长陈韦帆先生担任光刻胶事业部总经理。陈韦帆先生深耕半导体行业近20年,曾先后履职力晶、日月光、友达光电、美光(中国台湾)、东京应化等知名半导体企业。尤其在高端光刻胶产品的技术研发、市场开拓及评价实施上拥有丰富的经验。此次陈韦帆先生的加入将会大力提高公司在高端光刻胶的研发及市场推广的速度。

4、加码研发着眼未来

公司持续投入研发资源,研发能力取得长足进步。公司专注于公司产品的研发工作,拥有专业的研发团队和先进的研发设备。年公司研发投入为3,.70万元,研发人员增至96人,占员工比例的16.6%。以光刻胶研发项目为例,公司成立专门的光刻胶研发项目小组,定员30人,同时拟采用外聘部分专家的方式进一步提升项目研发力量。公司稳定的研发投入及优秀的研发创新能力使公司拥有较强的技术优势和竞争实力,推动研发进程,为公司带来稳定的经济效益。

截至年,公司及下属子公司共拥有专利72项,其中发明专利45项。公司研发团队通过多年的研发积累,取得了一大批拥有自主知识产权并产业化的科研成果;先后主持了国家、省、市科技项目二十余项,参与起草了多项国家和行业标准。同时建有国内领先国际一流的分析检测实验室,配置有各类先进的分析检测仪器,与国内多所知名高校、海内外研究所等单位开展技术合作。

1.5亿高端光刻胶设备安装调试中,启动ArF光刻胶研发工作。在高端光刻胶的研制过程中,ASML光刻机是必要的实验设备。年下半年,为开展集成电路制造用高端光刻胶研发项目,晶瑞电材投资约1.5亿元购置ASMLGi型光刻机及配套设备,随着设备到厂安装调试,满足90-28nm芯片制程的ArF光刻胶研发工作正式启动。除ASML光刻机之外,光刻胶研发所设计的其他主要研发设备,如匀胶显影机、扫描电镜、台阶仪等均完成购置,其他研发设备正在积极购置当中。

二、光刻胶:亟待国产化的半导体核心材料

1、光刻胶:半导体产业关键一环

光刻工艺是半导体等精密电子器件制造的核心流程,主要工艺流程包括前处理、涂胶、软烘烤、对准曝光、PEB、显影、硬烘烤和检验。光刻工艺通过上述流程将具有细微几何图形结构的光刻胶留在衬底上,再通过刻蚀等工艺将该结构转移到衬底上。

光刻胶作为影响光刻效果核心要素之一,是电子产业的关键材料。光刻胶由溶剂、光引发剂和成膜树脂三种主要成分组成,是一种具有光化学敏感性的混合液体。其利用光化学反应,经曝光、显影等光刻工艺,将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上,是用于微细加工技术的关键性电子化学品。因其在半导体等电子器件制造过程中的关键作用,光刻胶成为我国重点发展的电子产业关键材料之一。

根据应用领域的不同,光刻胶可分为PCB光刻胶、LCD光刻胶和半导体光刻胶。其中,PCB光刻胶的技术壁垒最低,半导体光刻胶的技术门槛最高。PCB光刻胶主要包括干膜光刻胶、湿膜光刻胶、光成像阻焊油墨。LCD领域光刻胶主要包括彩色光刻胶和黑色光刻胶、触摸屏光刻胶、TFT-LCD光刻胶。半导体光刻胶包括普通宽普光刻胶、g线(nm)、i线(nm)、KrF(nm)、ArF(nm)及最先进的EUV(13.5nm)光刻胶,级越往上其极限分辨率越高,同一面积的硅晶圆布线密度越大,性能越好。

光刻胶处于电子产业链核心环节,是半导体国产化的关键一环。光刻胶在电子产业链举足轻重,其上游是精细化工行业,下游是半导体、印制电路板、液晶显示器等电子元器件制造行业。其中,半导体是光刻胶技术门槛最高的下游领域。在半导体精细加工从微米级、亚微米级、深亚微米级进入到纳米级水平的过程中,光刻胶起着举足轻重的作用,其生产制造也因此成为半导体产业链关键一环。

光刻胶市场稳定成长,中国大陆领跑全球。根据Cision数据,年,全球整体光刻胶市场规模为91亿美元,而到年则有望达到亿美元,年均复合增速5%。其中,作为全球最大电子产品进出口国,中国占据了光刻胶最大的市场份额。同时,伴随中国在半导体、面板和PCB等电子元器件的市场影响力逐年提升,国内光刻胶市场规模快速扩大,根据SEMI数据,-年中国光刻胶市场规模由亿元增长至亿元,年均复合增速12.0%。

国内缺乏半导体光刻胶供应能力,国产替代空间广阔。分品类来看,在全球光刻胶市场,半导体、LCD、PCB类光刻胶各自占有27%、24%和24%的份额。其中半导体光刻胶占比最高,也是技术难度最高、成长性最好的细分市场。不过,目前我国半导体光刻胶和面板光刻胶制造能力仍较弱,中国光刻胶企业主要生产技术水平较低的PCB用光刻胶,占整体生产结构中的94%。我国本土的半导体光刻胶及面板光刻胶供应能力十分有限,主要依赖进口,因此其国产替代空间广阔。

2、始于欧美盛于日本,中国大陆能否接棒?

光刻胶产业最早由欧美主导,日本厂商后来居上。年,第一套“光刻系统”重铬酸盐明胶诞生。此后经过百年发展,光刻胶技术开始成熟,s,德国Kalle公司制成重氮萘醌-酚醛树脂印刷材料,曝光光源可采用g线、i线。s,IBM使用自研的KrF光刻胶突破了KrF光刻技术。随后,东京应化于年研发出KrF正性光刻胶并实现大规模商业化,因此迅速占据市场,这标志着光刻胶正式进入日本厂商的霸主时代。

此后光刻技术仍在持续进步,ArF、EUV光刻胶先后问世。年,JSR的ArF光刻胶成为半导体工艺开发联盟认证的下一代半导体0.13μm工艺的抗蚀剂。,东京应化也推出了自己的ArF光刻胶产品。年,东芝开发出分辨率22nm的低分子EUV光刻胶。JSR在年与SEMATECH联合开发出用于15nm工艺的化学放大型EUV光刻胶。

目前日本企业在光刻胶领域仍保持垄断地位。光刻胶的核心技术被日本和欧美企业所掌握,并且由于光刻胶的特殊性质,市场潜在进入者很难对成品进行逆向分析,因此光刻胶产业呈现日本企业寡头垄断格局。世界主要光刻胶企业有日本JSR、东京应化、信越化学,美国陶氏化学、韩国东进世美等。中国光刻胶产业规模仍较小,但已有众多厂商积极布局,主要包括晶瑞电材、北京科华、华懋科技、上海新阳等。

光刻胶产业链共有四大壁垒,从上游至终端分别是原材料壁垒、配方壁垒、设备壁垒和认证壁垒。其中,原材料壁垒和配方壁垒对光刻胶厂商从原料合成以及差异化研发能力提出较高要求。设备壁垒主要是研发中配套使用的,以光刻机为和核心的半导体设备,由于先进半导体设备往往价格不菲,因此这也构成光刻胶开发的壁垒之一。此外,光刻胶虽是半导体制造的核心材料,但其成本占整体制造流程中的比例并不高,因此下游厂商更换意愿低,再加之光刻胶本身长达数年的认证周期,这就构成了下游认证壁垒。

过去,受限于多项壁垒压制,国内光刻胶厂商只能在夹缝中生存,产品基本集中在较低端的PCB光刻胶。而当前,国产光刻胶正处于替代窗口期,行业壁垒有逐步被打开的趋势。首先,国内光刻胶厂商经过多年积累,已储备了更丰富的光刻胶生产技术,头部厂商诸如北京科华、晶瑞电材等已经在KrF、ArF等高端品类中崭露头角,因此配方壁垒和原材料壁垒,在国内技术储备接近突破奇点的位置上,有望被一定程度上打破。同时,资本市场对光刻胶的投资升温也大幅拉动了光刻胶企业的融资能力。设备壁垒的本质是资金壁垒,在资金充足的情况下,国内厂商正积极购置先进光刻机等高端设备,以匹配先进制程产品研发。此外,国产化需求增强了下游晶圆厂对国内光刻胶供应商的认证意愿,再加之信越化学断供等意外事件,国内光刻胶已经进入客户认证加速期。

3、KrF、ArF为半导体光刻胶核心方向

光刻和刻蚀决定了芯片的最小特征尺寸,是大规模集成电路制造的过程中最重要的工艺。光刻和刻蚀工艺占芯片制造时间的40%-50%,占制造成本的30%。在图形转移过程中,一般要对硅片进行十多次光刻。光刻胶需经过硅片清洗、预烘、涂胶、前烘、对准、曝光、后烘、显影、刻蚀等环节,将掩膜版上的图形转移到衬底上,形成与掩膜版对应的几何图形。

随着半导体制程由微米级、亚微米级、深亚微米级进入到纳米级阶段,配套光刻胶的感光波长也由紫外宽谱向g线(nm)→i线(nm)→KrF(nm)→ArF(nm)→F2(nm)的方向转移,以达到集成电路更高的密集度,从而满足市场对于半导体小型化、功能多样化的的需求。

ArF光刻胶占据半导体光刻胶市场四成份额,是目前最重要的半导体光刻胶之一。ArF光刻胶主要用于ArF准分子激光光源的DUV光刻机的光刻工艺当中,感光波长为nm,可用于nm-14nm芯片工艺制程(其中干式主要用于nm-65nm工艺,浸没式主要用于65nm-14nm工艺。),部分晶圆厂甚至可以使用ArF光源做到7nm制程。以中芯国际收入结构为例,在1Q21收入中66%的收入来自ArF光刻胶对应制程,其重要程度可见一斑。

目前,KrF光刻胶和g/i线光刻胶分别占据22%、24%份额,均是重要的成熟制程光刻胶。KrF光刻胶主要用于KrF激光光源光刻工艺,对应工艺制程在nm-nm;而g/i线光刻胶主要用于高压汞灯光源的光刻工艺,对应nm及以上工艺制程。

此外,用于极紫外光刻的EUV光刻胶是目前应用制程最先进的光刻胶产品,主要用于7nm及以下先进制程的光刻工艺,该产品目前仍处于应用早期,其市场份额较小且难以统计,不过未来有望成长为光刻胶最核心的细分市场之一。

日本厂商在半导体光刻胶领域占据绝对主导地位。从整体市场来看,日本企业在光刻胶市场占据七成以上份额,其中JSR株式会社实现了光刻胶产品全覆盖,是全球光刻胶龙头厂商。其他主要厂商包括日本的东京应化、富士电子、信越化学和住友化学,美国的陶氏化学和韩国的东进世美肯等。

从细分市场来看,日本厂商几乎垄断先进制程市场。在g/i线光刻胶领域,除了日系厂商外,还有韩国东进世美肯和美国杜邦各自占据12%和18%份额。而在KrF领域,主要非日系厂商仅剩美国杜邦,占据11%份额。再到ArF光刻胶市场,美国杜邦份额也仅有4%,这一细分市场几乎被日系厂商垄断。至于目前工艺制程最先进的EUV光刻胶,则更是被JSR和信越化学两家日系厂垄断。

国内半导体光刻胶企业主要包括晶瑞电材(苏州瑞红)、彤程新材(北京科华)、上海新阳、华懋科技(徐州博康)和南大光电等。国内光刻胶产品主要集中在g/i线市场,而KrF和ArF光刻胶仍处于技术积累和市场开拓期。

不过,国内企业已在KrF以上级别产品中有所突破。KrF光刻胶方面:1)北京科华和徐州博康已具备批量供货能力;2)晶瑞电材已完成中试;3)上海新阳已通过客户认证并取得第一笔订单。ArF光刻胶方面,五家厂商均已购置了ArF光刻机用于产品研发,目前正处于技术开发或客户验证中。未来随着国内光刻胶企业不断在KrF领域拓宽客户,并在ArF市场完成技术布局,国产光刻胶有望实现全面突破。

4、晶圆厂扩产潮来袭,光刻胶市场再启成长

全球晶圆厂发力新线建设,拉动光刻胶需求成长。为了满足5G通讯、新能源汽车、高性能计算、线上服务和自动化等对半导体日益增长的强劲需求,世界各大半导体制造商将在未来两年分别新建19座和10座高容量晶圆厂。中国大陆和中国台湾在未来两年将分别建立8座晶圆厂,美国新建6座。这29座晶圆建成后将新增万片/月的晶圆产能,有望拉动全球半导体光刻胶市场规模继续高速成长。

国内晶圆厂建设火热进行,光刻胶进入认证窗口期。随着中美贸易冲突以来,国内对芯片行业的重视程度越来越高,中国大陆半导体制造商正加速扩产。例如长江存储和紫光国微的在建产线建成后,每月将各有30万片的新增产能。中芯国际目前有三条产线在建,晶合集成有一条4万片/月的在建产线和16万片的规划产线、待投产后每月将各多释放20万片新产能。截止年8月,国内主要晶圆厂计划扩充的产能约.48万片/月(折8英寸),仅年新增的产能就有有望达到约75.58万片/月(折8英寸)。中国大陆的晶圆厂产能扩张将大幅拉动国产光刻胶的市场需求。同时,相较于稳定产线,光刻胶产品在新建产线的客户导入难度更低,因此国产光刻胶企业有望伴随下游晶圆厂建设,而一同进入行业发展黄金时期。

日本地震导致信越化学光刻胶减产,断供缺口打开国产替代窗口期。年2月13日,日本福岛东部海域发生7.3级地震,日本光刻胶大厂信越化学在当地的KrF产线遭到破坏被迫暂停生产。因此其向中国大陆多家晶圆厂限制供货KrF光刻胶,并向小规模晶圆厂通知停止供货KrF光刻胶。由于日本信越化学占据世界22%左右的KrF光刻胶市场份额。因此,信越减产将使得KrF光刻胶供应存在较大的缺口,对于国产企业而言是宝贵的替代机遇。

意外事件有望加速国产光刻胶验证。国产光刻胶经历多年发展已经形成了较为丰富的技术积累,目前多家国内厂商的KrF、ArF光刻胶已经处于产品验证中,如北京科华、上海新阳和徐州博康的ArF干法光刻胶和晶瑞电材的KrF光刻胶等等。而此次信越意外断供无疑加剧了光刻胶短缺,也间接推动了国产光刻胶验证加速。

三、半导体、新能源两翼齐飞,电材龙头高增可期

1、全面布局加速研发,光刻胶业务蓄势待发

晶瑞电材子公司苏州瑞红深耕光刻胶近30年,产品类型丰富,技术水平处于国内领先地位。晶瑞电材子公司苏州瑞红年开始光刻胶生产,承担并完成了国家02专项“i线光刻胶产品开发及产业化”项目,拥有达到国际先进水平的光刻胶生产线。光刻胶产品类型覆盖高中低分辨率的I线、G线紫外正性光刻胶、环化橡胶型负性光刻胶、化学增幅型光刻胶、厚膜光刻胶等类型,应用行业涵盖IC、TFT-array、LED、Touchpanel、先进封装等领域。

半导体光刻胶方面,公司g线、i线产品已实现量产,客户覆盖国内一流厂商。苏州瑞红完成了多款g线、i线光刻胶产品技术开发工作,并实现销售。取得中芯国际、扬杰科技、福顺微电子等国内企业的供货订单,并在士兰微、吉林华微、深圳方正等知名半导体厂进行测试。目前公司正不断扩大g/i线光刻胶的市场占有率。

高端半导体光刻胶方面,KrF光刻胶进入客户测试阶段。目前,KrF(nm深紫外)光刻胶已完成中试,产品分辨率达到了0.25~0.13m的技术要求,建成了中试示范线,已进入下游客户测试阶段,公司将视测试情况适时推动量产计划。

ArF光刻胶研发工作正式启动,项目投资近5亿,ASMLGi光刻机安装调试中。为了满足当前集成电路产业关键材料市场需求,进一步提升公司在高端电子化学品领域的地位,年初,公司在苏州晶瑞化学股份有限公司现有厂区内开展“集成电路用高端光刻胶研发项目”,旨在提供90-28nm先进制程用ArF光刻胶。项目总投资48,万元,拟使用募集资金不超过31,万元。同时,公司于年下半年购买的ASMLGi型光刻机目前正在安装调试。公司计划年完成配方研制,年完成中试线和量产线。待最终产业化完成后,可覆盖晶圆制造28nm制程,满足除手机芯片外的大部分芯片国产化需要。

LCD光刻胶方面,公司年与日本三菱化学株式会社在苏州设立了LCD用彩色光刻胶共同研究所,为三菱化学的彩色光刻胶在国内的检测以及中国国内客户评定检测服务,并于年开始批量生产供应显示面板厂家。

公司光刻胶销售收入均处于行业领先水平。由于下游晶圆厂扩张,芯片制造行业国产替代进程加速,光刻胶产品供不应求,价格不断上涨。年上半年公司光刻胶及配套材料业务实现销售收入1.43亿元,相比去年同期增长70.98%。与此同时,公司整体业绩向好,尤其是锂电池材料业务和基础化工业务营收增长显著,因此光刻胶及配套材料虽营收创新高但业务占比略降至16.57%。

半导体用光刻胶及配套试剂占七成。公司光刻胶业务结构以高技术水平的半导体用光刻胶为主,在年1.79亿的光刻胶及配套试剂营收中,半导体级别的产品占70%。目前,公司KrF光刻胶已进入下游客户测试阶段,KrF光刻胶价格昂贵,约0万/吨,是目前公司i线光刻胶产品价格的近20倍。待KrF光刻胶通过客户测试,产品量产后,半导体用产品份额将继续提升,公司光刻胶及配套试剂营收有望再创新高。

光刻胶产量提升,彩色光刻胶新增产能逐步释放。-年,公司光刻胶产能分别为吨、吨、吨,吨,年复合增长率9.4%。年,公司新增彩色光刻胶产能吨/年,主要用于液晶显示器领域。受益于彩色光刻胶产能释放,1Q21光刻胶产能为吨。

光刻胶产能利用率较高,积极扩产满足市场需求。若剔除彩色光刻胶新增产能的影响,年度,公司原有光刻胶产品的产量为吨,产能利用率为92.17%,整体产能已经接近饱和。年8月26日公司公告称,拟投资1.41亿元,建设年产吨光刻胶项目,项目建设期一年,预计建成后实现年收入2.5亿元,净利润1.2亿元。未来随着子公司眉山晶瑞吨产能达产,半导体光刻胶产能将达到吨,有望大幅改善公司目前产能不足的情况,有利于公司进一步拓展市场,从而提升业绩。

2、半导体超纯试剂龙头,积极扩产加速替代

超净高纯试剂主要用于半导体、光伏太阳能电池、LED和平板显示等电子信息产品的清洗、蚀刻等工艺环节。以半导体为例,不同线宽的集成电路制程工艺中必须使用不同规格的超净高纯试剂进行蚀刻和清洗,且超净高纯试剂的纯度和洁净度对集成电路的成品率、电性能及可靠性均有十分重要的影响。

公司生产的超净高纯试剂主要包括氧化剂中的双氧水,酸类中的硫酸、氢氟酸、硝酸、盐酸、硫酸、乙酸,碱类中的氨水和有机溶剂类中的异丙醇等产品。其中,公司生产的硝酸、氢氟酸、氨水、盐酸、异丙醇等产品已经达到0.1ppb水平(相当于SEMIG4等级),公司拳头产品双氧水、硫酸和氨水已经达到10ppt级别水平(相当于SEMIG5等级),处于国际先进水平。

集成电路用超高纯试剂是重要的电子化学品之一,根据前瞻产业研究院数据,高纯试剂约占整体电子化学品市场7%的份额。未来,随着我国集成电路产业自主化进程加快,高纯试剂市场有望保持稳定成长,前瞻产业研究院预计,-年,我国集成电路用高纯试剂市场规模将由32亿增至51亿元,年均复合增速10%。

集成电路用超纯化学品中,硫酸和双氧水的使用量最大,合计占比六成。根据产业信息网数据,在年晶圆加工用湿电子化学品用量占比中,硫酸和双氧水分别占据31%和29%的份额。此外,氨水占据8%比例,是占比第三大的超纯化学试剂。

晶瑞股份目前生产的半导体级双氧水、氨水产品已达到国际先进水平,公司的电子级双氧水首次实现国产化,并在我国先进集成电路制造中实现大规模应用,同时联合上下游产业链共同制定颁布了我国第一个集成电路用双氧水产品标准,于上半年在中国集成电路产业技术创新联盟第三届“IC创新奖”上获得“技术创新奖”。同时实现向半导体公司,如中芯国际、华虹宏力、方正半导体、武汉新芯、长江存储等国内主流半导体企业的供货或通过其采购认证,未来将进一步扩大合作范围。

公司积极扩产满足市场需求。公司在双氧水、硫酸和氨水三大超纯品类均有全面布局,包括南通的“年产9万吨超大规模集成电路用半导体级高纯硫酸技改项目”、眉山的“年产8.7万吨光电显示、半导体用新材料项目”、潜江的“晶瑞(湖北)微电子材料项目”等项目。预计达产后双氧水、硫酸和氨水产能将分别达到9万吨、9万吨和2万吨。

3、下游需求爆发在即,锂电池材料弹性凸显

NMP(N-甲基吡咯烷酮)具有毒性低、沸点高、极性强、粘度低、溶解能力强、化学稳定性、热稳定性优良等特点,是一种被广泛应用于锂电池、芯片、平板显示等行业的有机溶剂产品。在锂电池的生产材料中,NMP一是作为正极涂布溶剂,二是作为锂电池导电剂浆料溶剂,为一项不可或缺的溶剂材料。

新能源产业迎来爆发,锂电需求高速增长。根据GGII数据,-年中国锂电池市场出货量由64GWh增至GWh,年均复合增速22.2%。同时,伴随新能源车渗透加速以及新能源储能等下游市场需求爆发,GGII预计未来五年中国锂电行业将以更快的速度成长,其预计到年中国锂电池市场出货量将达到GWh,年均复合增速33.7%。

锂电需求爆发有望拉动NMP市场快速增长。若假设磷酸铁锂和三元正极材料保持1比1的使用率,我们计算出平均每kg活性物质可以制造Wh的锂电池。若假设未来能量密度以5%速度成长,同时国内锂电池市场规模以GGII数据为基础进行推算,我们测算了未来5年正极材料需求规模,之后再以行业平均的50%固含量测算出NMP使用量。我们测算得到年中国NMP市场需求量为35万吨,并且到年其将快速成长至87.9万吨。单价方面,假设未来NMP价格保持在3万/吨,则年国内NMP市场规模将成长至亿元,未来五年CAGR46.6%。

晶瑞电材全资子公司载元派尔森现拥有2.5万吨NMP产能,其主要终端客户包括锂电行业知名企业如三星环新(西安)动力电池有限公司、江苏天奈科技股份有限公司、焦作集越纳米材料技术有限公司等。

年8月5日公司董事会审议通过载元派尔森扩产方案,拟使用自筹资金3亿元,投资建设年产1万吨γ-丁内酯(GBL)及5万吨电子半导体级N-甲基吡咯烷酮(NMP)扩建项目,项目建设期1年。建成后公司将拥有7.5万吨NMP产能,可以更好地满足客户及下游市场需求,并扩大公司产品市场份额,增强公司的盈利能力,促进公司长远发展。

NMP价格走势和盈利性方面,短期BDO涨价推动NMP价格快速上行,长期BDO价格有望回归平稳,而NMP与BDO价差扩大将是长期趋势。BDO(1,4-丁二醇)是NMP生产的主要原料,年,BDO受下游PBAT扩产需求拉动出现价格大幅上涨,NMP价格也跟随向上,二者于8月份分别达到4.3万元/吨和3万元/吨。同时,二者价差也出现显著扩大,由年初的0元/吨提升至1.3万元/吨左右。未来,国内BDO预计将有较大新增产能开出,根据天天化学网数据,目前国内BDO规划产能近万吨,因此长期看BDO价格有望回归平稳。我们认为,NMP作为锂电池正极制备的核心材料,下游需求正迎来爆发,再加之电池级高纯NMP生产技术壁垒较高,供给扩张将有所受限,因此随着主要原材料BDO价格回归平稳,NMP与BDO的价差有望进一步扩大,公司NMP业务盈利能力有望大幅提升。

锂电池粘结剂是一种高分子聚合物,是制作锂电池电极片的重要非活性成分,其主要作用是将电极活性物质、导电剂和电极集流体相连接,从而降低电极的阻抗,并使其具备更好的机械加工性能,从而满足实际生产应用场景。

全球负极材料粘结剂市场正稳定成长,根据赛瑞研究和新材料在线数据,-年,全球负极粘结剂需求量由吨成长至吨,年均复合增速为19.8%。公司生产的锂电池粘结剂具有用量少、内阻低、耐低温性能突出、循环性能优良等优点,能够满足客户对产品特性(如粘结性能、耐溶剂性能、涂布性能等)的个性化需求,可为电池活性物质提供更好的粘结,特别适合应用于大尺寸混合动力锂电池的制造,主要客户包括比亚迪等知名动力锂电池生产厂商。

同时,公司还持续开发粘结剂新产品。公司研发的CMCLi粘结剂生产线顺利落成,并实现量产,规模达千吨级。该产品与传统CMCNa粘结剂相比可以提高首效性能,更好的低温性能及循环寿命,实现了我国在该领域零的突破,打破了高端市场被国外企业垄断的格局。在丙烯酸粘结剂开发方面也取得了较大突破,解决了隔膜涂布的高粘结,低水分,耐高温等问题,耐高温粘结剂充分得到客户的测试并认可,在正极底涂应用中已经取得了零的突破,并进入中试阶段。

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